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2014年1月9日 星期    返回版面目录

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创“芯”时代相变存储异军突起

——宁波时代全芯科技产品发布

来源:中国贸易报  

    近日,以“‘芯’时代,‘存’世界”为主题的“2013宁波时代全芯科技产品发布会”在宁波万达索菲特酒店举行。由力利记集团和世峰科技共同投资的宁波时代全芯科技有限公司是目前中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业,一举打破了国外厂商在此市场上的垄断,为中国半导体存储厂商在云存储和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路。

    据权威数据统计,我国2012年去年进口芯片约1650亿美元,超过了进口石油的1200亿美元。小小芯片不仅可以带动万亿元的产业规模,而且关系到整个国家的工业安全。宁波时代全芯科技有限公司的科研团队不断在相变存储技术上寻求突破,终于研发成功55纳米相变存储技术。从静态随机存储技术(SRAM)到动态随机存储技术(DRAM)再到闪存技术(Flash),人类对存储性能的追求是无止境的。随着这一存储技术的商品化,相信相变存储(PCM)将势必引发存储市场的新一轮变革。

    宁波时代全芯科技的科研团队是由美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士马佐平院士,以及邓万新博士、曾邦助博士、王建群等组成。宁波时代全芯科技有限公司的长远目标是,凭借新的相变存储技术和独家专利技术成为存储芯片和应用的主导,并引领新一代存储技术和产品的研发。成为拥有成熟的知识产权、产品、制造能力及广泛市场的相变存储领域的领导者。

    (陈丽)

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